第一節(jié) 產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
目前MOSFET和IGBT等全控型電力半導(dǎo)體器件的容量已日益擴(kuò)大，既奠定了中高頻電源的器件基礎(chǔ)，與IGBT及MOSFET配套的驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路已系列化和標(biāo)準(zhǔn)化，給中高頻和超音頻感應(yīng)加熱電源奠定了基礎(chǔ)和保證，帶來(lái)了極大的方便。
國(guó)內(nèi)有些企業(yè)正在開(kāi)發(fā)以IGBT和MOSFET為主功率器件的高頻電源，在國(guó)內(nèi)已有批量生產(chǎn)的企業(yè)，但生產(chǎn)量相對(duì)晶閘管中頻電源來(lái)說(shuō)還是很少，其單機(jī)容量在200kW以內(nèi)，工作頻率基本上都在20kHz~200kHz范圍，超過(guò)20kHz的中高頻電源基本上都是應(yīng)用MOSFET，由于MOSFET到今仍然難以制作出同時(shí)滿足高電壓、大電流的條件，所以不得不采用多個(gè)MOSFET并聯(lián)的方案，從目前使用的實(shí)際情況來(lái)看，有直接將MOSFET并聯(lián)，再逆變獲得較大功率輸出；也有直接將MOSFET構(gòu)成逆變橋，再多個(gè)逆變橋并聯(lián)的。
第二節(jié) 產(chǎn)品工藝特點(diǎn)或流程
高頻感應(yīng)加熱電源是感應(yīng)加熱的關(guān)鍵設(shè)備之一，它是一種變換AC/DC/AC變換裝置。可用于淬火、透熱、熔煉、釬焊和燒結(jié)等加工工藝。
高頻電源的生產(chǎn)中，按諧振回路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的不同分為兩大類，即并聯(lián)型和串聯(lián)型。
初期現(xiàn)代高頻設(shè)備采用了同電子管高頻類似的結(jié)構(gòu)，主諧振回路也是采用了并聯(lián)結(jié)構(gòu)，但換流原理完全不同于現(xiàn)代的橋式逆變，這種電源的效率和現(xiàn)代高頻逆變電源相比有較大差距。采用軟開(kāi)關(guān)全橋逆變電源的新型高頻電源要考慮設(shè)備功率因數(shù)及設(shè)備保護(hù)等因素，較多地采用串聯(lián)型結(jié)構(gòu)。
用MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件的高頻感應(yīng)加熱設(shè)備，生產(chǎn)時(shí)通過(guò)器件并聯(lián)工作來(lái)擴(kuò)容，從而解決工作容量小的問(wèn)題。
主逆變器件采用IGBT的高頻電源一般采用串聯(lián)形式，由整流部分提供穩(wěn)定的直流電源,逆變部分采用串聯(lián)諧振。
第三節(jié) 國(guó)內(nèi)外技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) 分析
1、高頻（頻率高于100kHz）領(lǐng)域的感應(yīng)加熱電源將以MOSFET為主要器件，伴隨著MOSFET制造工藝的不斷進(jìn)步和突破以MOSFET為主功率器件的高頻電源將獲得廣泛的應(yīng)用，其容量將不斷擴(kuò)大。
2、感應(yīng)加熱用高頻電源的配套件將不斷進(jìn)步，更加標(biāo)準(zhǔn)化、更系列化，給高頻電源的制造和維修帶來(lái)更大的方便。
3、與感應(yīng)加熱用中高頻電源配套的限制電網(wǎng)干擾，保證電網(wǎng)綠色化的EMI抑制技術(shù)，功率因數(shù)校正技術(shù)將獲得廣泛應(yīng)用，并進(jìn)一步改善中高頻感應(yīng)加熱電源的輸出波形和效率。
4、SIT及SITH這些器件將在我國(guó)中高頻電源領(lǐng)域獲得應(yīng)用并填補(bǔ)我國(guó)至今沒(méi)有自行開(kāi)發(fā)應(yīng)用這些器件制作的中高頻感應(yīng)加熱電源的空白。
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