第一節(jié) 概述
近些年，功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展十分迅速。產(chǎn)品的應(yīng)用上，中小功率場(chǎng)合，晶閘管及整流模塊逐步得到較廣泛的應(yīng)用；大功率場(chǎng)合，仍以晶閘管為主。從目前全球功率半導(dǎo)體廠商的區(qū)域分布來看，主要是歐美、日本和臺(tái)灣廠商。
工業(yè)可控硅及其控制技術(shù)正朝以下幾個(gè)方向發(fā)展：
1、大電流、高壓：現(xiàn)代電力電子器件正向大電流高壓方向發(fā)展，以適應(yīng)高壓領(lǐng)域?qū)﹄娏﹄娮悠骷焖傩枨蟮内厔?shì)，尤其在高壓直流輸電、高壓電力無功補(bǔ)償、高壓電機(jī)、變頻器等領(lǐng)域。
2、高頻化：從高壓大電流到高頻多功能，晶閘管頻率已從數(shù)千HZ到幾十KHZ、MHZ。這標(biāo)志著電力電子技術(shù)已進(jìn)入高頻化時(shí)代。
3、集成化、智能化：幾乎所有全控型器件都由許多的單元胞管子并聯(lián)而成。
2005年－2010年全球不同國家的大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模
單位：億元
| 國家或地區(qū) | 2005年 | 2006年 | 2007年 | 2008年 | 2009年 | 2010年 |
| 美國 | 11.49 | 12.09 | 12.78 | 13.45 | 14.27 | 15.19 |
| 日本 | 15.23 | 15.98 | 16.76 | 17.54 | 18.32 | 19.15 |
| 歐洲 | 19.83 | 21.36 | 23.17 | 25.04 | 26.98 | 29.12 |
| 其他 | 15.42 | 17.67 | 20.43 | 23.66 | 27.04 | 31.29 |
| 合計(jì) | 61.97 | 67.1 | 73.14 | 79.69 | 86.61 | 94.75 |
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