關于組織實施新型平板顯示和寬帶網(wǎng)絡設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項有關事項的通知(發(fā)改辦高技[2014]893號)
國家發(fā)展改革委辦公廳 工業(yè)和信息化部辦公廳
關于組織實施新型平板顯示和寬帶網(wǎng)絡設備
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項有關事項的通知
發(fā)改辦高技[2014]893號
各省、自治區(qū)、直轄市及計劃單列市、新疆生產(chǎn)建設兵團發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化主管部門，有關中央管理企業(yè)：
為推動我國新型平板顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，落實“寬帶中國”戰(zhàn)略，國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部擬組織實施新型平板顯示和寬帶網(wǎng)絡設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項?，F(xiàn)將有關事項通知如下：
一、專項支持重點
（一）新型平板顯示領域
1、高世代（6代及以上）薄膜晶體管液晶顯示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：驅動電壓≤7V，響應時間≤15ms，電阻率≥1×1013Ω•cm，單體純度>99.90%，粘度<20mPa•s；申報單位已實現(xiàn)年銷售量大于1噸。
2、有源有機發(fā)光顯示（AMOLED）用高精度金屬因鋼蒸鍍掩膜板研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：尺寸≥650mm×750mm，最小開口尺寸25μm，開口精度≤±3μm，開口間距≤50μm，定位精度≤±5μm；申報單位已實現(xiàn)年銷售量大于80套。
3、AMOLED用高性能、長壽命有機藍色電致發(fā)光、電子傳輸和空穴注入/傳輸材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：達產(chǎn)后形成年產(chǎn)發(fā)光材料25公斤、其他材料500公斤的生產(chǎn)能力，其中：藍光材料色度坐標達到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/m2亮度下，效率>6cd/A；空穴傳輸材料遷移率>8.0×10-4cm2/Vs；電子傳輸/空穴注入材料采用飛行時間法測試，遷移率>5.0×10-3cm2/Vs；玻璃化轉變溫度Tg≥130℃；驅動電壓低于4V情況下，對應器件特性指標LT95壽命要求紅、綠（>5000cd/m2）≥3000小時，藍（>500cd/ m2）≥1000小時；實驗片發(fā)光區(qū)面積3mm×3mm。
4、高分辨率面板驅動IC研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上電視面板、300PPI（每英寸像素數(shù)目）及以上手機面板，并可根據(jù)面板廠商要求提供不同接口技術。
5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：可制備非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二鋁等薄膜材料，成膜非均勻度≤±3%，基板處理能力≥20片/小時。
6、高世代TFT-LCD及AMOLED用濺射鍍膜設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：靶材利用率>75%，薄膜非均勻性<5%，可制備ITO（氧化銦錫）、IGZO（氧化銦鎵鋅）、鋁、鉬等薄膜材料。
7、AMOLED蒸鍍設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
要求：最大可鍍膜基板尺寸650mm×750mm，OLED（發(fā)光顯示）材料利用率≥25%，OLED鍍膜均勻度≤±3%，對位精度2μm，生產(chǎn)節(jié)拍120秒。
（二）寬帶網(wǎng)絡設備領域
1、新一代光纖寬帶接入核心設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：支持GPON/XG-PON（吉比特/10吉比特無源光纖網(wǎng)絡）共存，單板不少于4個40Gbps接口的PON系統(tǒng)，ONU（光網(wǎng)絡單元）支持無色特性。
2、超高速波分復用傳輸系統(tǒng)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：400Gbps高速波分復用傳輸設備，無電中繼傳輸距離不小于800公里，單光纖速率不低于16Tbps。
3、分組光傳送網(wǎng)設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：基于統(tǒng)一信元交換的POTN（分組光傳送網(wǎng)）設備，單槽位接入容量不小于200Gbps，整機交換容量不低于6.4Tbps，支持多類型業(yè)務，交換容量動態(tài)分配，高精度時鐘和頻率同步傳送。
4、高端核心路由器研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：單板卡單向轉發(fā)性能不低于400Gbps，單機框轉發(fā)性能不低于12.8Tbps，支持業(yè)務框數(shù)量不低于4個的集群形態(tài)。
5、高端數(shù)據(jù)交換設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：單板卡單向轉發(fā)性能不低于1Tbps，整機雙向交換容量不低于20Tbps。
6、運營商級IPv4/IPv6網(wǎng)絡地址翻譯設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：支持IPv4/IPv6雙協(xié)議棧，CGN（運營商級網(wǎng)絡地址翻譯）業(yè)務板卡速率不低于200Gbps，整機支持翻譯會話數(shù)不低于1000萬。
二、申報要求
（一）項目主管部門應根據(jù)《中央預算內(nèi)投資補助和貼息項目管理辦法》的有關規(guī)定，按照專項支持重點要求，結合本單位、本地區(qū)實際情況，認真做好項目組織和備案工作，指導項目建設單位編寫項目資金申請報告，并協(xié)調落實項目建設資金、節(jié)能、環(huán)保、土地、規(guī)劃等相關建設條件。項目主管部門應對資金申請報告及相關附件進行認真核實，并負責對其真實性予以確認。
（二）項目建設單位應為企業(yè)法人，一個單位限報一個項目。項目建設單位應實事求是制定建設方案，嚴格控制征地、新增建筑面積和投資規(guī)模。項目資金申請報告的具體編寫要求及所需附件內(nèi)容參見附件1。
（三）申報新型平板顯示領域的材料廠商需提供與面板企業(yè)簽署的合作協(xié)議；設備廠商需提供與面板企業(yè)簽署的聯(lián)合開發(fā)協(xié)議。其中，申報濺射設備的廠商需提供與配套靶材企業(yè)簽署的合作協(xié)議。
（四）申報寬帶網(wǎng)絡設備領域的單位，應結合自身基礎條件，在支持重點方向中自行選擇兩類以上設備申報。
（五）請各項目主管部門于2014年5月16日前，將項目資金申請報告和有關附件、項目簡介（不超過3000字）、匯總表（見附件2）等紙質文件一式2份及電子版，分別報送國家發(fā)展改革委（高技術司）、工業(yè)和信息化部（規(guī)劃司）。
附件：1、項目資金申請報告編制要點
2、項目匯總表
國家發(fā)展改革委辦公廳
工業(yè)和信息化部辦公廳
2014年4月25日
關于組織實施新型平板顯示和寬帶網(wǎng)絡設備
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項有關事項的通知
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各省、自治區(qū)、直轄市及計劃單列市、新疆生產(chǎn)建設兵團發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化主管部門，有關中央管理企業(yè)：
為推動我國新型平板顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，落實“寬帶中國”戰(zhàn)略，國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部擬組織實施新型平板顯示和寬帶網(wǎng)絡設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項?，F(xiàn)將有關事項通知如下：
一、專項支持重點
（一）新型平板顯示領域
1、高世代（6代及以上）薄膜晶體管液晶顯示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：驅動電壓≤7V，響應時間≤15ms，電阻率≥1×1013Ω•cm，單體純度>99.90%，粘度<20mPa•s；申報單位已實現(xiàn)年銷售量大于1噸。
2、有源有機發(fā)光顯示（AMOLED）用高精度金屬因鋼蒸鍍掩膜板研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：尺寸≥650mm×750mm，最小開口尺寸25μm，開口精度≤±3μm，開口間距≤50μm，定位精度≤±5μm；申報單位已實現(xiàn)年銷售量大于80套。
3、AMOLED用高性能、長壽命有機藍色電致發(fā)光、電子傳輸和空穴注入/傳輸材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：達產(chǎn)后形成年產(chǎn)發(fā)光材料25公斤、其他材料500公斤的生產(chǎn)能力，其中：藍光材料色度坐標達到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/m2亮度下，效率>6cd/A；空穴傳輸材料遷移率>8.0×10-4cm2/Vs；電子傳輸/空穴注入材料采用飛行時間法測試，遷移率>5.0×10-3cm2/Vs；玻璃化轉變溫度Tg≥130℃；驅動電壓低于4V情況下，對應器件特性指標LT95壽命要求紅、綠（>5000cd/m2）≥3000小時，藍（>500cd/ m2）≥1000小時；實驗片發(fā)光區(qū)面積3mm×3mm。
4、高分辨率面板驅動IC研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上電視面板、300PPI（每英寸像素數(shù)目）及以上手機面板，并可根據(jù)面板廠商要求提供不同接口技術。
5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：可制備非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二鋁等薄膜材料，成膜非均勻度≤±3%，基板處理能力≥20片/小時。
6、高世代TFT-LCD及AMOLED用濺射鍍膜設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：靶材利用率>75%，薄膜非均勻性<5%，可制備ITO（氧化銦錫）、IGZO（氧化銦鎵鋅）、鋁、鉬等薄膜材料。
7、AMOLED蒸鍍設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
要求：最大可鍍膜基板尺寸650mm×750mm，OLED（發(fā)光顯示）材料利用率≥25%，OLED鍍膜均勻度≤±3%，對位精度2μm，生產(chǎn)節(jié)拍120秒。
（二）寬帶網(wǎng)絡設備領域
1、新一代光纖寬帶接入核心設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：支持GPON/XG-PON（吉比特/10吉比特無源光纖網(wǎng)絡）共存，單板不少于4個40Gbps接口的PON系統(tǒng)，ONU（光網(wǎng)絡單元）支持無色特性。
2、超高速波分復用傳輸系統(tǒng)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：400Gbps高速波分復用傳輸設備，無電中繼傳輸距離不小于800公里，單光纖速率不低于16Tbps。
3、分組光傳送網(wǎng)設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：基于統(tǒng)一信元交換的POTN（分組光傳送網(wǎng)）設備，單槽位接入容量不小于200Gbps，整機交換容量不低于6.4Tbps，支持多類型業(yè)務，交換容量動態(tài)分配，高精度時鐘和頻率同步傳送。
4、高端核心路由器研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：單板卡單向轉發(fā)性能不低于400Gbps，單機框轉發(fā)性能不低于12.8Tbps，支持業(yè)務框數(shù)量不低于4個的集群形態(tài)。
5、高端數(shù)據(jù)交換設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：單板卡單向轉發(fā)性能不低于1Tbps，整機雙向交換容量不低于20Tbps。
6、運營商級IPv4/IPv6網(wǎng)絡地址翻譯設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化
要求：支持IPv4/IPv6雙協(xié)議棧，CGN（運營商級網(wǎng)絡地址翻譯）業(yè)務板卡速率不低于200Gbps，整機支持翻譯會話數(shù)不低于1000萬。
二、申報要求
（一）項目主管部門應根據(jù)《中央預算內(nèi)投資補助和貼息項目管理辦法》的有關規(guī)定，按照專項支持重點要求，結合本單位、本地區(qū)實際情況，認真做好項目組織和備案工作，指導項目建設單位編寫項目資金申請報告，并協(xié)調落實項目建設資金、節(jié)能、環(huán)保、土地、規(guī)劃等相關建設條件。項目主管部門應對資金申請報告及相關附件進行認真核實，并負責對其真實性予以確認。
（二）項目建設單位應為企業(yè)法人，一個單位限報一個項目。項目建設單位應實事求是制定建設方案，嚴格控制征地、新增建筑面積和投資規(guī)模。項目資金申請報告的具體編寫要求及所需附件內(nèi)容參見附件1。
（三）申報新型平板顯示領域的材料廠商需提供與面板企業(yè)簽署的合作協(xié)議；設備廠商需提供與面板企業(yè)簽署的聯(lián)合開發(fā)協(xié)議。其中，申報濺射設備的廠商需提供與配套靶材企業(yè)簽署的合作協(xié)議。
（四）申報寬帶網(wǎng)絡設備領域的單位，應結合自身基礎條件，在支持重點方向中自行選擇兩類以上設備申報。
（五）請各項目主管部門于2014年5月16日前，將項目資金申請報告和有關附件、項目簡介（不超過3000字）、匯總表（見附件2）等紙質文件一式2份及電子版，分別報送國家發(fā)展改革委（高技術司）、工業(yè)和信息化部（規(guī)劃司）。
附件：1、項目資金申請報告編制要點
2、項目匯總表
國家發(fā)展改革委辦公廳
工業(yè)和信息化部辦公廳
2014年4月25日