第一節(jié) 概述

目前靶材主要制造商包括有德國HERAEUS，占率達60%，第二位是日商HITACHI占有率23%，第三位為光洋科占10%，第四位是日商Nikko占6%。濺鍍靶材大廠PLANSEE至2010年于奧地利擴廠投資將達1億歐元 充份供應全球大尺寸TFT-LCD用靶材。

第二節(jié) 亞洲地區(qū)主要國家市場概況

1、霍尼韋爾考慮與本土靶材供應商合作

霍尼韋爾公司于2007年底正式宣布將旗下特殊材料集團的電子材料部全球總部從美國亞利桑那州圖森市遷往中國上海。此舉充分體現(xiàn)了公司對快速增長的亞洲市場的重視程度，也再次證明了中國正在成為霍尼韋爾新一輪全球競爭的戰(zhàn)略重點。

為滿足中國及亞洲地區(qū)日益增長的客戶需求，霍尼韋爾于2004年底在上海張江高科技園區(qū)建成了亞太總部暨研發(fā)中心。電子材料研發(fā)是霍尼韋爾研發(fā)中心一個重要的組成部分，中心成立了專門的電子材料 研究 團隊，建立了介電材料合成及應用實驗室、導電材料應用實驗室。2006年11月，霍尼韋爾宣布繼續(xù)擴建位于上海的亞太研發(fā)中心。擴建后，電子材料 研究 團隊將在原有兩個實驗室的基礎上，新建四個實驗室，包括百級潔凈室、聚合物合成實驗室、化合物中試實驗室、危險品化學實驗室。擴建項目于2008年中期完成。

在2008年，電子材料部通過擴大生產(chǎn)規(guī)模和引進新產(chǎn)品，持續(xù)擴大和提升亞洲生產(chǎn)能力。韓國的工廠將在未來引進13個新的金屬靶材產(chǎn)品的生產(chǎn)，產(chǎn)量提升45%；泰國的工廠將開始熱管理材料生產(chǎn)線擴建。這些生產(chǎn)擴建項目將更好地滿足亞洲和全球客戶的需求。

2、日本ITO靶材市場

ITO靶材是LCD產(chǎn)業(yè)鏈的重要一環(huán)，是基本的配套材料。近年來隨著平面顯示器 行業(yè) 的蓬勃發(fā)展，對ITO靶材的需求也大大增長。

ITO靶材的供應，主要的供應商以日本為主，其中日本能源、日本三井礦業(yè)公司、日本東曹3家廠商囊括了80%以上的ITO市場。

亞洲主要濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)

第三節(jié) 歐洲地區(qū)主要國家市場概況

歐洲主要濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)

第四節(jié) 美洲地區(qū)主要國家市場概況

就美國而言，大約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人，不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設立分公司。

美洲主要濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)

第五節(jié) 濺射靶材 行業(yè) 存在的問題及應對策略

一、存在問題

1、高端ITO靶材全部依賴進口

中國是全球中低端ITO導電玻璃的主要生產(chǎn)地，也是ITO靶材的主要需求市場之一。自1994年以來華錫集團就開始熱壓技術(shù)的研發(fā)，株冶、寧夏905工廠、山東藍狐材料等眾多廠家與高等院校多年來不斷努力，但至今尚無法掌握高品質(zhì)ITO靶材制作所需之氣氛燒結(jié)技術(shù)。從1998年起，我國的筆段型液晶顯示器、點陣顯示器產(chǎn)量已躍居世界第一，國內(nèi)目前能生產(chǎn)TFT-LCD大尺寸液晶面板的生產(chǎn)廠家主要有京東方、上廣電、龍騰光電3家，產(chǎn)能占全球的5%，可是，所用ITO靶材全部依賴進口。我國銦儲量和產(chǎn)量均居世界第一，然而銦金屬卻主要外銷，對其深加工高新技術(shù)產(chǎn)品尚處于起步階段。為使資源增值，合理利用銦資源的重要途徑之一是生產(chǎn)ITO靶材。目前ITO靶材生產(chǎn)通常采用冷等靜壓燒結(jié)法制備的ITO磁控濺射靶材，相對密度小于99%，未突破下游 行業(yè) 需求指標(單相結(jié)構(gòu)、相對密度大于99.5%)，產(chǎn)品只限部分用于生產(chǎn)低端的TN導電玻璃。

2、生產(chǎn)工藝落后

目前工業(yè)ITO靶材都是以ITO粉末為原料經(jīng)高溫燒結(jié)而成，其燒結(jié)成型方法主要有3種：熱壓法HP、冷等靜壓法CIP、高溫氣氛燒結(jié)法MMP。

國內(nèi)目前ITO靶材的生產(chǎn)，多采用高成本的熱等靜壓工藝。該 技術(shù)工藝 生產(chǎn)的靶材，一旦產(chǎn)品規(guī)格超過200mm×200mm，就會出現(xiàn)斷裂、密度低等問題，而且在使用過程中，經(jīng)常出現(xiàn)靶材中毒現(xiàn)象。這也是我國靶材 行業(yè) 落后于先進國家的主要原因之一。

二、應對策略

1、要重點支持自主開發(fā)和擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的科研成果的產(chǎn)業(yè)化，培育若干具有國際競爭力的企業(yè)集團及重點產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)基地。

2、堅持自主發(fā)展的方針，要鼓勵和促進企業(yè)積極采用“產(chǎn)、學、研、用”結(jié)合，包括長期和短期從國內(nèi)外引進管理和技術(shù)人才，以及采用在國外辦技術(shù)中心等方式和方法，提高預測能力和產(chǎn)品開發(fā)的市場命中率，加快產(chǎn)品和生產(chǎn)的發(fā)展。

3、為提高企業(yè)的長期競爭力，在產(chǎn)業(yè)組織結(jié)構(gòu)調(diào)整中，要有分有合、有退有進。既鼓勵和促進企業(yè)的合理重組、合并，走大公司的道路，也支持專業(yè)化分工和特色生產(chǎn)，關鍵是使企業(yè)成為專業(yè)領域的排頭企業(yè)，形成大、中、小企業(yè)相互促進，相互補充的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。

4、提高工藝技術(shù)和裝備水平。以抓產(chǎn)品一致性為突破口，提高產(chǎn)品一致性，促進產(chǎn)品升級，減少我國對國外高端產(chǎn)品的依賴，帶動大生產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。

第六節(jié) 行業(yè) 發(fā)展預測 分析

一、產(chǎn)品需求特點發(fā)展預測

金屬濺射靶材常用于半導體產(chǎn)業(yè)、記錄媒體產(chǎn)業(yè)（磁記錄及光記錄）和先進顯示器產(chǎn)業(yè)。其中半導體集成電路制造對濺射靶材純度的要求最高。常用靶材的純度要求見下表。

集成電路用濺射靶材純度要求

由于堿金屬離子（Na+，K+）易在絕緣層中形成可移動性離子，降低器件性能；放射性元素（U，Th）會釋放α射線，造成元器件產(chǎn)生軟擊穿；重金屬（Fe，Ni，Cr等）離子會產(chǎn)生界面漏電及氧元素增加等。因此必須對原材料中該類元素的含量進行控制。

中國高純(Al，Cu，Ti，Ta金屬的提純技術(shù)與工業(yè)發(fā)達國家的差距較大，目前能夠提供的最高純金屬也遠不能滿足集成電路對濺射靶材的質(zhì)量要求。以鋁為例：國內(nèi)高純Al執(zhí)行GB 8179-87標準，提供產(chǎn)品純度為99.999%，僅對Si、Fe、Cu、Pb、Zn、Ga、Ti、Cd、Ag、In10種元素進行 分析 ，通過減法獲得純度值，但是對于超大規(guī)模集成電路中非常敏感的雜質(zhì)，如K，Na，U，Th等元素的含量并未進行 分析 ，如果按照 行業(yè) 常規(guī)的全元素 分析 方法，我國生產(chǎn)的高純Al的純度實際還不到99.99%，遠遠不能滿足集成電路制造用靶材的質(zhì)量要求。

因此，我國未來濺射靶材的 研究 主要要集中在提高產(chǎn)品純度上，是未來產(chǎn)品的重要需求特點。

二、 行業(yè) 發(fā)展趨勢 分析

中國已經(jīng)成為世界的制造中心，其中平面顯示器、半導體、微電子、光盤等產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，鍍膜材料中濺射靶材逐漸成為基礎核心技術(shù)之一。在國內(nèi)相關產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值持續(xù)增加時，連帶的這些濺射靶材料使用量也勢必將逐年增加。由于靶材生產(chǎn)技術(shù)要求極高，且國內(nèi)對濺射靶材的研制工作還處于初期階段，導致高單價及高附加價值的濺射靶材幾乎全部需要國外進口。不過已經(jīng)有越來越多企業(yè)進行高端產(chǎn)品研發(fā)，未來國產(chǎn)比例會有所提高。

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