第一節(jié) 上游 行業(yè) 發(fā)展?fàn)顩r 分析

最簡單的減反射膜是單層介質(zhì)膜，其折射率一般介于空氣折射率和光學(xué)元件折射率之間，使用最普遍的介質(zhì)膜材料為氟化鎂。其次還有氧化銦錫、聚氧化丙烯醚等。

一、氟化鎂發(fā)展?fàn)顩r

我國氟化鹽已有50多年的發(fā)展歷史。上世紀(jì)八十年代以前，國內(nèi)無機(jī)氟化物的生產(chǎn)一直沿用前蘇聯(lián)的工藝和技術(shù)，工藝簡單、設(shè)備落后、產(chǎn)品品種比較單一。八十年代以后，我國對無機(jī)氟化物產(chǎn)品的 研究 開發(fā)取得了長足的進(jìn)展，特別是近年來，隨著研發(fā)力度不斷加大，氟化鹽工藝和技術(shù)不斷提高、產(chǎn)品品種不斷增加，用途也在不斷擴(kuò)展。

2006年，全國氟化鹽的生產(chǎn)企業(yè)已發(fā)展到30多家，總產(chǎn)能約為50萬噸/年。中原和西北地區(qū)螢石資源豐富且鋁冶煉工業(yè)較為發(fā)達(dá)，在這兩個地區(qū)氟化鹽生產(chǎn)企業(yè)分布較多（分別有8家和4家）,企業(yè)生產(chǎn)規(guī)模也較大。從總體上看，我國氟化鹽的生產(chǎn)已基本具有了規(guī)模經(jīng)濟(jì)的特征。與此同時，經(jīng)過多年的發(fā)展，我國氟化鹽生產(chǎn)企業(yè)布局也日趨合理。

二、銦錫氧化物發(fā)展?fàn)顩r

目前世界上銦錠產(chǎn)量為250噸/年左右，50%以上是用于加工為ITO靶材后制造顯示器件，僅日本用透明電極的銦錫氧化物耗銦占總耗銦量的56%。而且今后隨著生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展以及人們環(huán)保意識的增強(qiáng)，光電設(shè)備的個人化、平面顯示的超大型和異形化，并且全球數(shù)字化技術(shù)的快速發(fā)展，推動了移動通迅和衛(wèi)星數(shù)字傳輸?shù)母咚侔l(fā)展，刺激了LCD等顯示器件業(yè)的增長，使國際市場對ITO靶材的需求量成倍增長。而目前國內(nèi)LCD生產(chǎn)廠約有40家，如果加上正在立項(xiàng)和建設(shè)的廠家，總數(shù)將達(dá)到100家左右，發(fā)展勢頭迅猛，對透明導(dǎo)電玻璃的需求量將大幅增長。因此近年國內(nèi)對ITO靶材的需求量也將大幅度增長，國內(nèi)開發(fā)生產(chǎn)ITO靶材更是刻不容緩。ITO靶材目前世界上只有日本、美國、德國等少數(shù)幾個發(fā)達(dá)國家和地區(qū)能生產(chǎn)，生產(chǎn)工藝技術(shù)設(shè)備都已比較成熟和穩(wěn)定。

第二節(jié) 下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 分析

減反射膜廣泛用于各種光學(xué)元件的表面處理，例如照相機(jī)鏡頭上涂減反射膜后，繪畫、展品、商店櫥窗、各種信息和TV顯示屏。

拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜?，F(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學(xué)的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當(dāng)?shù)奶岣摺?/span>

一、2008年1—10月照相機(jī) 行業(yè) 發(fā)展?fàn)顩r

我國照相機(jī) 行業(yè) 的發(fā)展現(xiàn)狀有如下特點(diǎn)：首先，產(chǎn)業(yè)構(gòu)成表現(xiàn)為三資企業(yè)為主導(dǎo)的外向型 行業(yè) ，目前共有86家三資企業(yè)，組成了照相機(jī) 行業(yè) 的中堅力量和出口的主要力量。其次， 行業(yè) 集中度高，企業(yè)規(guī)模逐漸加大，國家統(tǒng)計局公布的2002年的數(shù)字表明，在全 行業(yè) 中有47家企業(yè)生產(chǎn)相機(jī)4810萬架，其中，年產(chǎn)量超過100萬架的有14個企業(yè)，占企業(yè)總數(shù)30%，但占產(chǎn)量比重高達(dá)81%。第三，技術(shù)進(jìn)步速度快，數(shù)碼產(chǎn)品已占主導(dǎo)地位。據(jù)了解，目前全球的文化辦公設(shè)備 行業(yè) 巨頭如尼康、佳能、惠普等等向我國轉(zhuǎn)移生產(chǎn)的勢頭不減，許多數(shù)碼新技術(shù)、新產(chǎn)品在很短時間內(nèi)就被引進(jìn)，大量的數(shù)字化產(chǎn)品正成為 行業(yè) 產(chǎn)品主流。最后， 行業(yè) 界限淡化，跨 行業(yè) 發(fā)展趨勢明顯，國內(nèi)IT 行業(yè) 的方正、紫光、聯(lián)想以及家電 行業(yè) 的TCL、新科等企業(yè)都紛紛進(jìn)軍數(shù)碼相機(jī)領(lǐng)域，傳統(tǒng) 行業(yè) 格局逐漸被打破。

據(jù)統(tǒng)計,2008年1-10月我國照相機(jī)及其零部件出口額為3.91億美元,比上年同期增長12.61%。10月,照相機(jī)及其零部件出口額為4126.8萬美元。

重點(diǎn)產(chǎn)品出口數(shù)量和金額:2008年1-10月,一次成相照相機(jī)出口數(shù)量59.82萬個，同比下降55.92%，出口金額為3684.4萬美元，同比增長28.66%；照相機(jī)用其他已裝配的光學(xué)元件出口數(shù)量7.98萬個,,同比下降8.08%,出口金額為1892.3萬美元,同比下降19.94%。

二、2008年電池 行業(yè) 發(fā)展?fàn)顩r

由于歐洲太陽能市場特別是德國市場的迅速擴(kuò)大，以及無錫尚德太陽能電力有限公司的橫空出世及超常規(guī)發(fā)展，給我國光伏產(chǎn)業(yè)帶來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇和示范效應(yīng)。自２００２年起，我國太陽能 市場發(fā)展 迅速。

２００６年，我國太陽能電池產(chǎn)量達(dá)到４３８ＭＷＰ，占世界總產(chǎn)量的１７．１％，超過美國成為全球第三大生產(chǎn)國；２００７年，我國太陽能電池產(chǎn)量達(dá)１０８８ＭＷＰ，超過日本和歐洲，成為世界第一大太陽能電池生產(chǎn)國。

２００３－２００７年５年間，世界太陽能電池的平均增長速度為３５％，而中國太陽能電池年平均增長速度高達(dá)１５０％。

快速發(fā)展的太陽能電池 行業(yè) 使國內(nèi)掀起一股投資多晶硅熱。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，隨著新建多晶硅項(xiàng)目的投產(chǎn)，多晶硅的緊缺局面應(yīng)在２００７年年底得到緩解。但２００７年已經(jīng)過去，多晶硅供應(yīng)緊張的形勢并沒有得到緩解。根據(jù)目前的實(shí)際情況來看，多晶硅緊缺局面還將繼續(xù)維持，多晶硅供應(yīng)仍是限制我國太陽能電池產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的因素之一。

按照生產(chǎn)１ＭＷＰ太陽能電池需要１１噸多晶硅計算，目前我國自產(chǎn)多晶硅僅能滿足８０ＭＷＰ的太陽能電池生產(chǎn)。統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，２００７年我國太陽能電池產(chǎn)量為１０８８ＭＷＰ，這意味著我國１００８ＭＷＰ太陽能電池生產(chǎn)所用多晶硅依賴于進(jìn)口或其他途徑解決。

供需嚴(yán)重不平衡，導(dǎo)致今年以來我國多晶硅產(chǎn)品價格一路飆升。２００１－２００３年，我國多晶硅的現(xiàn)貨價格為２５－４０美元／公斤，２００６年又猛漲至２００美元／公斤，２００７年價格飚升至３００美元／公斤，而到２００８年年初，我國多晶硅的現(xiàn)貨價格已經(jīng)高達(dá)４００美元／公斤。多晶硅價格上漲幅度之快令人驚訝。

按照太陽能電池近５年來的復(fù)合增長率為３５％計算，２００７年全球共需多晶硅３．３７５萬噸，２００８年則需４．５５萬噸?？紤]到技術(shù)進(jìn)步導(dǎo)致的多晶硅用料減少，２００８年多晶硅需求仍將達(dá)到４．１萬噸。由于新建多晶硅產(chǎn)能沒有得到釋放，全球八大多晶硅巨頭供應(yīng)的太陽能級多晶硅總量應(yīng)在３萬噸左右，２００８年多晶硅的供應(yīng)缺口達(dá)萬余噸。在這種情況下，只能寄望國內(nèi)多晶硅企業(yè)能夠早日釋放產(chǎn)能，國內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)發(fā)展拐點(diǎn)。

到目前為止，我國有近５０家公司正在新建、擴(kuò)建和籌建以西門子改良法為技術(shù)路線的多晶硅生產(chǎn)線，總建設(shè)規(guī)模超過１０萬噸，總投資將超過１０００億元，其中一期規(guī)模超過４萬噸，總投資超過４０億元。一期建設(shè)基本上在２００６－２０１０年間開展，２００７－２０１１年建成投產(chǎn)。

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