第一節(jié) 上游 行業(yè) 發(fā)展?fàn)顩r 分析

1、硅材料

硅元素在地殼中的含量達(dá)到25.8%，僅次于氧元素。它是大自然對人類慷慨贈與、取之不盡的最重要的半導(dǎo)體材料。2000年，全球75億美元的硅材料，支撐起了2500億美元的半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)，進(jìn)一步支撐起數(shù)以萬億美元的電子、計算機(jī)、通信等產(chǎn)業(yè)。

如果說鋼鐵工業(yè)是傳統(tǒng)工業(yè)的基礎(chǔ)，那么硅材料業(yè)就是信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。“SiliconValley”（硅谷）這個高技術(shù)時代的代名詞，因此而得名。

我國對硅材料的 研究 始于上世紀(jì)50年代，近幾年，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展給國內(nèi)硅材料業(yè)帶來了前所未有的機(jī)遇，硅材料業(yè)的發(fā)展日新月異。但在硅材料產(chǎn)業(yè)化方面，與國際水平還存在一定的差距。到目前為止，我國還不能大批量生產(chǎn)8英寸硅片，6英寸硅片的生產(chǎn)尚未普及，而小直徑硅片在質(zhì)量，特別是產(chǎn)品的穩(wěn)定性方面與國外還有較大的差距。我國硅片的總體水平大約相當(dāng)于國外上世紀(jì)90年代初的水平，產(chǎn)量約占全球總產(chǎn)量的1%。

硅材料工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了半個多世紀(jì)的發(fā)展，目前呈現(xiàn)出這樣幾大特點：

首先，它是一個資金密集、技術(shù)密集、支撐能力強(qiáng)而自身效益不甚高的產(chǎn)業(yè)。相關(guān)資料顯示，1996年到2000年硅片的發(fā)貨量增加了50%，而銷售收入僅增加了6%。由此可以看出硅片生產(chǎn)廠商所承受的價格壓力。因此，世界上主要的硅片企業(yè)背后都有大企業(yè)或大財團(tuán)支持。

第二，硅片工業(yè)目前在生產(chǎn)與市場方面的壟斷已經(jīng)形成，日本、德國等國資本控制的八大硅片公司的銷量占硅片總銷量的90%以上。其中信越、瓦克、SUMCO和MEMC四家的銷售額占世界硅片銷售額的70%以上。

第三，當(dāng)前IC用主流硅片是8英寸，并向12英寸過渡。到2006年12英寸的硅片的比例從2000年的1.3%增加到21.1%。

第四，隨著光電子和通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，硅基材料成為硅材料工業(yè)發(fā)展的重要方向。硅基材料是在常規(guī)硅材料上制作的，是常規(guī)硅材料的發(fā)展和延續(xù)，其器件工藝與硅工藝相容。主要的硅基材料包括SOI（絕緣體上硅）、GeSi和應(yīng)力硅。2000年下半年，IBM公司決定在0.18微米以下線寬的集成電路生產(chǎn)線中全部采用SOI技術(shù)，由此可以看出硅基材料在未來半導(dǎo)體業(yè)中的重要性。

2、氧化鐵

目前我國氧化鐵年生產(chǎn)能力已達(dá)70萬噸，年產(chǎn)量54萬噸，居世界第一位。據(jù)預(yù)計，到2010年，總產(chǎn)能將突破80萬噸，銷售收入可達(dá)30億元。而目前我國氧化鐵 行業(yè) “多而不強(qiáng)”，因此減少企業(yè)數(shù)量，擴(kuò)大單產(chǎn)規(guī)模，提高產(chǎn)品檔次已是當(dāng)務(wù)之急。

目前我國氧化鐵企業(yè)已超過140多家，但年產(chǎn)量在萬噸以上的企業(yè)僅有十幾家；約有60多家企業(yè)年生產(chǎn)規(guī)模僅為3000噸左右，且大多采用傳統(tǒng)作坊式生產(chǎn)，產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)設(shè)備等都存在一些問題。今后5年，國內(nèi)氧化鐵 行業(yè) 將通過市場競爭，企業(yè)并購等方式，減少企業(yè)數(shù)量，擴(kuò)大企業(yè)規(guī)模，使排名前五名企業(yè)的生產(chǎn)總量達(dá)到全國總產(chǎn)量的75％以上，力爭有幾個銷售收入超過3億元或更高的企業(yè)進(jìn)入國際市場，參與國際競爭。

2004年我國氧化鐵生產(chǎn)總量為54萬噸，已成為世界氧化鐵第一生產(chǎn)大國。其中，產(chǎn)量的50％以上用于出口，但出口產(chǎn)品以中低檔為主，品種單調(diào)、質(zhì)量檔次不高，與氧化鐵生產(chǎn)大國的地位極不協(xié)調(diào)。

隨著應(yīng)用領(lǐng)域的開發(fā)，國際上氧化鐵產(chǎn)品將朝著多功能方向發(fā)展，即從目前僅限于耐候、耐用與美觀裝飾的著色使用范圍，延伸到軟磁電腦驅(qū)動器、磁性油墨特征辨認(rèn)材料、復(fù)印磁粉、磁性記憶材料、石油化工催化劑、醫(yī)療激光探測磁頭、無毒型水處理劑等新的應(yīng)用領(lǐng)域。

3、鉻 行業(yè)

我國共有鉻鐵礦產(chǎn)地54處，保有儲量251.9萬噸（礦石，下同），基礎(chǔ)儲量595.2萬噸，其中富礦（Cr2O3>32%）占全國總儲量的49%。我國鉻鐵礦儲量和基礎(chǔ)儲量僅分別占世界鉻鐵礦儲量和儲量基礎(chǔ)的0.1%和0.06%。主要分布在西藏、內(nèi)蒙古、新疆和甘肅四省區(qū)，分別占全國總儲量的35.9%、17.8%、16%、13.7%，四省合計占總儲量的84.3%。

我國目前尚未發(fā)現(xiàn)有儲量大于500萬噸的大型鉻鐵礦床，儲量超過100萬噸的中型礦床也只有4個，它們分布在西藏的羅布莎、甘肅的大道爾吉、新疆的薩爾托海、內(nèi)蒙古的賀根山。其余均為儲量在100萬噸以下的小型礦床。儲量最大的羅布莎礦床，396萬噸儲量分布在7個礦體中，最大的礦體長只有325米。

我國目前已知的鉻鐵礦礦床主要為巖漿晚期礦床。而世界上一些著名的具有層狀特征的大型、特大型巖漿早期分凝礦床在我國尚未發(fā)現(xiàn)。

目前我國可利用的鉻礦產(chǎn)地6處，保有儲量113萬噸，約占全國總保有儲量的11.55%；暫難利用礦區(qū)15處，保有儲量130.9萬噸，約占全國總保有儲量的13.38%?，F(xiàn)有的幾個礦山的狀況是：西藏的羅布莎鉻礦經(jīng)過擴(kuò)建，開采規(guī)?？蛇_(dá)10萬噸左右，內(nèi)蒙古的鉻礦生產(chǎn)可維持年產(chǎn)2000噸-3000噸精礦水平，甘肅大道爾吉鉻礦年產(chǎn)成品礦可達(dá)兩萬噸，青海鉻礦產(chǎn)量不穩(wěn)定。新的開發(fā)后備基地已無多少選擇余地。

在已開采礦床中，只有羅布莎、薩爾托海屬國家重點礦山，據(jù)調(diào)查薩爾托海資源現(xiàn)已采完，其他礦區(qū)為地方集體或個體開采，大多數(shù)礦石品位低，礦體規(guī)模小且分散，不易規(guī)模開采，很難擴(kuò)大其產(chǎn)能。

據(jù)有關(guān)資料統(tǒng)計，我國現(xiàn)有鉻礦的經(jīng)濟(jì)儲量和基礎(chǔ)儲量占資源總量的比重分別是36.20%和46.24%，如果基礎(chǔ)儲量能按70%的轉(zhuǎn)化率轉(zhuǎn)化為儲量，按目前的開采水平和礦山實際回采率31.7%計算，到2009年，我國鉻礦資源將面臨枯竭。由于鉻礦礦山產(chǎn)能增長潛力小，今后我國各時期鉻礦產(chǎn)量在2005年達(dá)到22萬噸之后開始下降，2010年產(chǎn)量18萬噸，2015年產(chǎn)量15萬噸。2010年產(chǎn)需缺口將達(dá)600多萬噸，這些完全要依賴國外資源，利用國外資源將占我國消費量的97%。

我國金屬鉻年產(chǎn)量近5000噸，內(nèi)銷外銷約各一半。由于金屬鉻產(chǎn)品質(zhì)量要求嚴(yán)，生產(chǎn)工藝流程長，且對環(huán)境污染嚴(yán)重又不易徹底防治，因此多年來生產(chǎn)廠家只限錦州、湖南、南京三家為主，因而產(chǎn)量較穩(wěn)定。

第二節(jié) 下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 分析

目前，我國的LCD產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走過了近30年的歷程。經(jīng)歷幾次大的投資浪潮之后，我國內(nèi)地已經(jīng)成為全世界最大的TN-LCD（扭曲液晶顯示器）生產(chǎn)基地和主要的STN-LCD（超扭曲液晶顯示器）生產(chǎn)基地，并且從2003年開始，又大手筆涉足TFT-LCD（薄膜晶體管液晶顯示器）領(lǐng)域。以京東方電子科技集團(tuán)收購韓國現(xiàn)代三條TFT-LCD生產(chǎn)線和所有LCD業(yè)務(wù)，以及京東方和上廣電又分別投資建設(shè)二條第五代TFT-LCD生產(chǎn)線為標(biāo)志，我國內(nèi)地成為世界LCD產(chǎn)業(yè)第四極力量乃至更強(qiáng)的預(yù)言正在逐步變成現(xiàn)實。

歷經(jīng)二十幾年的發(fā)展，我國LCD產(chǎn)業(yè)從無到有、從無源跨入有源，已成為全球最大的TN/STN生產(chǎn)大國和產(chǎn)值排名世界第四的LCD產(chǎn)業(yè)地區(qū)。目前在我國內(nèi)地與LCD產(chǎn)業(yè)相關(guān)的生產(chǎn)廠家、科研院所大約有180家，TN/STN-LCD生產(chǎn)線約110條、TFT-LCD生產(chǎn)線（含京東方在韓國的三條生產(chǎn)線）有7條和眾多的TN/STN/TFT模塊生產(chǎn)線。

從地域分布來看，我國液晶產(chǎn)業(yè)主要分布在三個區(qū)域：以深圳為中心的華南地區(qū)，以上海為中心的華東地區(qū)以及以北京為中心的華北、東北地區(qū)，這與中國信息產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勢分布區(qū)域相對應(yīng)。

華南地區(qū)是中國最早形成LCD、LCM區(qū)域性的地區(qū)，到目前仍是企業(yè)數(shù)量最多、投資最多元化的地區(qū)，其生產(chǎn)線數(shù)量占到全國的70%以上，其中又以深圳、東莞為主。企業(yè)以臺灣華泰、香港信利、香港精電、臺灣勁佳光電和深圳天馬、邁爾科特、東莞SDI、東莞新電器等為主。華東地區(qū)是近幾年LCD產(chǎn)業(yè)剛興起的新區(qū)，這個地區(qū)顯著的特點是企業(yè)的投資和規(guī)模都較大，日資和臺資企業(yè)較多，無錫夏普、張家港光王電子、蘇州EPSON、上海飛利浦、上海廣電液晶都有規(guī)模較大的CSTN和STN生產(chǎn)線，更有眾多的TFT模塊廠在這個區(qū)域內(nèi)。產(chǎn)值較大和銷售規(guī)模上億元、上十億元的廠家多。隨著上海廣電集團(tuán)與日本NEC合作TFT-LCD五代線的建成，還將帶動TFT-LCD產(chǎn)業(yè)鏈上的其他項目，這個地區(qū)顯示出很強(qiáng)的發(fā)展后勁。

東北、華北地區(qū)目前企業(yè)的數(shù)量和總體規(guī)模都小于上述兩個地區(qū)。但隨著京東方在2003年成功收購韓國現(xiàn)代TFT三條生產(chǎn)線、并在北京建成TFT模塊生產(chǎn)線和五代TFT屏生產(chǎn)線、整合上下流產(chǎn)業(yè)鏈一系列大的動作，以及京東方TFT-LCD銷售額在2003年全球大尺寸LCD排名第九位和五代線建成后的帶動和輻射影響，將帶動這個地區(qū)成為對中國液晶產(chǎn)業(yè)有重要影響的區(qū)域。另外這個區(qū)域還有一個突出的特點是從事液晶研發(fā)的單位和力量比較集中，還有美國三伍電子以及河北冀雅、長春聯(lián)信、鞍山亞視等一批有實力和后勁的企業(yè)。

隨著中國經(jīng)濟(jì)和信息產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定快速的發(fā)展，中國的液晶產(chǎn)業(yè)在未來相當(dāng)一段時間內(nèi)，也會保持一個良好的發(fā)展趨勢。目前，各級政府尤其是地方政府、企業(yè)對液晶產(chǎn)業(yè)的熱情和關(guān)注都很高，很多企業(yè)都有意在這個 行業(yè) 投資，這無疑對這個 行業(yè) 的發(fā)展具有很好的推動作用。

2007年中國LCD電視出貨量達(dá)到1000萬臺的規(guī)模，而2008年這一數(shù)字將增長到1550萬臺，增幅高達(dá)54%。2008年中國市場的液晶電視總出貨量將占到全球市場的15%，雖然2008年第一季度中國市場將出現(xiàn)較為明顯的需求放緩趨勢，但是受到奧運會的刺激，后幾個季度的需求將出現(xiàn)較大幅度的反彈勢頭。到2011年中國的LCD電視市場都將繼續(xù)保持每年36.5%的高增長趨勢。

第三節(jié) 產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀

光掩模版是光刻工藝中復(fù)印光致抗蝕掩蔽層的“印相底片”。隨著大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)的迅速發(fā)展，對光掩模版的質(zhì)量，包括各種掩模精度、缺陷密度和掩模版的耐用性能等都提出了極高的要求。以64千位MOS存儲器光掩模版為例，每個芯片單元有效面積0.22～0.28厘米2內(nèi)含約15萬個元件、器件；最細(xì)的線寬約2～3微米；套刻精度約±0.5～±1微米；掩模版的分步重復(fù)精度、定位精度等都必須控制在±0.1～±0.25微米范圍以內(nèi)。

此外，光掩模版的隨機(jī)缺陷密度對芯片成品率的影響，將滿足博塞-愛因斯坦分布，即芯片成品率隨著單元有效面積的增大或隨機(jī)缺陷密度的增大而按負(fù)指數(shù)關(guān)系急劇下降。據(jù)推算，若要達(dá)到95％以上的成品率，掩模版的缺陷密度必須控制在每平方厘米0.175個以下。如果缺陷密度增大到每平方厘米1.25個，則成品率因缺陷的直接影響會下降到65％以下。因此，光掩模版質(zhì)量的優(yōu)劣直接影響光刻工藝的質(zhì)量，從而影響半導(dǎo)體器件或集成電路的電學(xué)性能、可靠性和芯片成品率。光掩模制作技術(shù)大體上可分為傳統(tǒng)的刻圖縮微制版技術(shù)系統(tǒng)、計算機(jī)輔助設(shè)計、光學(xué)圖形發(fā)生器自動制版技術(shù)系統(tǒng)和以電子束掃描成像為代表的各種短波長射線成像曝光技術(shù)系統(tǒng)。

第四節(jié) 產(chǎn)品工藝特點或流程

1、刻圖縮微制版技術(shù)

最初是從印刷工業(yè)中的印刷制版技術(shù)移植到微電子工藝技術(shù)中來的。制作一套光掩模版需要經(jīng)過復(fù)雜的過程。首先需要根據(jù)半導(dǎo)體器件或集成電路電學(xué)參數(shù)的要求、工藝條件和精度的要求確定適當(dāng)?shù)姆糯蟊堵蕘砝L制掩模原圖。然后利用縮微照相技術(shù)或圖形發(fā)生系統(tǒng)制作掩模原版，亦稱中間掩模版。為了能在同一個硅片上同時制作多個電路芯片而且又便于切割成單個芯片，中間掩模版的圖形還要用具有分步重復(fù)功能的精密縮小照相機(jī)進(jìn)一步縮小到實際芯片尺寸。同時，讓同一圖形在縱橫兩個方向按一定的間距重復(fù)曝光，制成含有芯片圖形陣列的母掩模版。最后復(fù)印出供給生產(chǎn)上光刻工藝使用的工作掩模版。

2、計算機(jī)輔助設(shè)計光學(xué)圖形發(fā)生器制版技術(shù)系統(tǒng)

隨著半導(dǎo)體器件、集成電路、大規(guī)模集成電路制作技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度越來越高，電路圖形越來越復(fù)雜，加工尺寸越來越精細(xì)，遂研制成功計算機(jī)輔助制版系統(tǒng)和由它控制的自動制圖機(jī)、光學(xué)圖形發(fā)生器等高精度自動制版設(shè)備，以及激光圖形發(fā)生器、電子束圖形發(fā)生器等新的制版設(shè)備，形成了半導(dǎo)體工藝技術(shù)中所特有的高精度光掩模制作技術(shù)體系。尤其是電子束圖形發(fā)生器，具有很高的分辨率和高速掃描成像系統(tǒng)，不但可用于制作中間掩模版，而且還能取代分步重復(fù)設(shè)備直接制作出含有芯片陣列圖形的母掩模版或工作掩模版。然后，再利用各種光刻設(shè)備把光掩模圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面的光致抗蝕層上。這種技術(shù)在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路制作工藝中起著越來越重要的作用。到80年代初，采用這些技術(shù)已制作出最細(xì)加工線寬為1.3～2.5微米的256千位動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片，這已接近光掩模加工技術(shù)和光掩模圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)的極限。

3、短波長射線成像曝光技術(shù)系統(tǒng)

為保證大規(guī)模集成電路的芯片成品率，并進(jìn)一步提高集成度（如最小加工尺寸達(dá)亞微米級的百萬位存儲器芯片），已采用電子束、離子束或X射線等直接在硅片上掃描成像的加工新技術(shù)，取代傳統(tǒng)的光掩模圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。

掩模制作工序

4、掩模檢測

掩模版的質(zhì)量是影響集成電路功能和芯片成品率的重要因素之一。為保證光掩模版的質(zhì)量，必須進(jìn)行嚴(yán)格的控制：（1）掩模缺陷密度的控制，包括各種隨機(jī)圖形缺陷和掩模清潔度的控制；（2）掩模版精度的控制，包括掩模對準(zhǔn)定位精度、機(jī)械重復(fù)精度、圖形幾何尺寸精度、圖形坐標(biāo)位置精度和套合精度等的控制；（3）圖形質(zhì)量的控制，包括幾何圖形完整性、圖形邊緣清晰度、反差、光密度、均勻性的控制。在掩模版制作過程中，每道工序都需要采用人工或自動掩模檢測系統(tǒng)進(jìn)行嚴(yán)格檢查、測量、修改和修補(bǔ)，以保證掩模版的質(zhì)量。

第五節(jié) 國內(nèi)外技術(shù)未來發(fā)展趨勢 分析

TFT工藝技術(shù)的進(jìn)步以掩模版數(shù)量的減少為標(biāo)志。掩模版越少，生產(chǎn)周期越短，同樣設(shè)備配置下產(chǎn)能越高，材料消耗也會相應(yīng)的減少。上世紀(jì)90年代末我國引進(jìn)的生產(chǎn)線采用的是7枚掩模版工藝，這在98年或許不算落后，但到02年，國際上絕大部分生產(chǎn)線都已經(jīng)采用5枚掩模版工藝，個別的也有用4枚掩模版進(jìn)行小批量生產(chǎn)。

相位移掩模版（Phase-shiftmasks，PSMs）是拓展193nm光刻能力的關(guān)鍵。相位移已經(jīng)成為存儲器和邏輯器件制造的主流技術(shù)。PSMs是提高光刻分辨率的核心技術(shù)。許多層的圖形分布很容易與相位移掩模版的要求相吻合，特別是接觸窗口和微通孔層的孔洞圖形。

PSMs的繼續(xù)發(fā)展將依賴于更強(qiáng)的相位移和更復(fù)雜的特征結(jié)構(gòu)。目前最基本的是6%嵌入式PSMs。要想使相位移技術(shù)能夠達(dá)到下一代技術(shù)水平的要求，可供選擇的掩模版類型主要有三種：補(bǔ)償式相位移、二次曝光和可以進(jìn)行低k1成像的一次曝光技術(shù)。

補(bǔ)償式相位移是目前最為人所熟知的相位移技術(shù)，其中主掩模版起到強(qiáng)烈相位移的作用，第二塊掩模版起到補(bǔ)償功能?，F(xiàn)在的基本硬件設(shè)施顯然已經(jīng)采用并掌控了大部分補(bǔ)償式相位移掩模版。該方法的唯一缺點是必須使用兩塊掩模版。晶片加工的每一層都需要經(jīng)過兩次圖形轉(zhuǎn)移，除了延長曝光時間外，還會引起套刻精度偏差問題。

補(bǔ)償式PSMs具有很強(qiáng)的挑戰(zhàn)性，但是大多數(shù)人都認(rèn)為它是最有發(fā)展?jié)摿Φ南辔灰萍夹g(shù)。然而，兩塊掩膜版明顯增加了其運行成本。

二次曝光技術(shù)也使用了兩塊掩模版，但是該方法與補(bǔ)償式曝光完全不同。補(bǔ)償式相位移中的第二塊掩膜版相對來說要簡單得多，它只用于第一塊掩膜版曝光后進(jìn)行相應(yīng)的補(bǔ)償；但是二次曝光相位移技術(shù)的兩塊掩模版看起來很相似，而且都比補(bǔ)償技術(shù)中的主掩模版簡單。

第三種方法則采用無鉻掩模版光刻技術(shù)，這是一種只采用一塊掩模版、一次曝光的技術(shù)。該技術(shù)依賴于結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜的掩模版，其掩模版通常需要多次刻寫才能完成。但是，其優(yōu)點是只需一次曝光。

無鉻相位移光刻（ChromelessPhaseLithography，CPL）技術(shù)來自ASMLMaskTools公司，該技術(shù)正受到越來越多的關(guān)注。CPL的最大好處是只需一塊掩模版（上面具有許多比所需分辨率還小的復(fù)雜圖形），因此關(guān)鍵層圖形轉(zhuǎn)移速度更快，不需要補(bǔ)償式設(shè)計那樣采用經(jīng)過分解、多次曝光的方法。該技術(shù)在軟件解決方案和掃描光刻設(shè)備效率之間找到了很好的平衡點。其中大部分關(guān)鍵的掩模版制作技術(shù)已用于實際生產(chǎn)，與石英蝕刻概念相關(guān)的技術(shù)則正在加緊開發(fā)中。無論采用哪種類型的掩模版，相位移技術(shù)一定是提高光刻分辨率的優(yōu)先選擇。

目前臺灣友達(dá)光電(AUO)發(fā)布了用3片掩膜形成TFT陣列的工藝。采用半色調(diào)掩膜（Half Tone Mask）與剝離（Lift Off）法，僅用一片掩膜就實現(xiàn)了鈍化層(Passivation Layer)的開口與ITO圖案的形成。并采用此工藝試制出了1.8英寸TFT液晶面板。該技術(shù)的關(guān)鍵在于將4片掩膜工藝的鈍化層（第3片）與ITO層（第4片）兩個工序用半色調(diào)掩膜（HTM）合并為一個。而ITO圖案的形成則采用了剝離法。首先，使用HTM在鈍化層打出與周邊焊盤相接的開口。然后，對光刻膠進(jìn)行灰化（Ashing）處理，使形成ITO圖案的像素部分曝光。并在形成ITO膜以后，采用剝離方法將光刻膠剝離，除去不需要的ITO層。此次發(fā)布的關(guān)鍵點是，為了促使ITO層剝落，采用了準(zhǔn)分子激光對光刻膠上的ITO層進(jìn)行預(yù)剝離的方法。提高照射的準(zhǔn)分子激光的能量，光刻膠上的ITO會剝離，從而可減輕后續(xù)的光刻膠剝離工序的作業(yè)負(fù)擔(dān)。通過以激光剝離ITO層的工序，可大幅度縮短剝離所需時間。另外，還能夠解決因ITO膜混入去除的光刻膠而造成剝離裝置維護(hù)周期縮短的問題。此次AUO采用這種3片掩膜工藝試制出了1.8英寸彩色TFT液晶面板。試制面板的像素為128×160，子像素尺寸為73μm×129μm。

隨著第6、7代TFT—LCD 生產(chǎn)線在國外廠家的逐漸普及，美國V．Tech．公司開發(fā)了6、7代TFT—LCD 生產(chǎn)線的不用大尺寸掩膜版的曝光機(jī)。該曝光設(shè)備只要設(shè)定基板第一層的圖形之后，在不使用大尺寸掩膜版的情況下能夠完成后面工序的曝光工藝；同時具有圖形監(jiān)測系統(tǒng)和許多個曝光光源，以及在基板移動方向上約5 cm 寬度的形成圖形的掩膜版裝置，可邊移動基板邊曝光，由圖形傳感器來以第一層的圖形為基準(zhǔn)而定位，橫向基板移動距離為2 m。但該設(shè)備價格十分昂貴，目前價格為5～10億日元。

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